国产存储双雄加速崛起，长鑫与长江存储稳步拓展全球市场空间

长鑫存储与长江存储组成的国产存储双雄，凭借持续的技术迭代、产能稳步爬坡以及庞大的国内市场支撑，市场份额连年稳步攀升，逐步打开全球存储市场发展空间，也让全球存储产业迎来全新的竞争格局；两家企业分别深耕 DRAM 内存与 NAND 闪存两大核心赛道，补齐了国内存储产业的两大核心短板，从产品研发、晶圆制造到下游客户落地形成完整闭环，持续稳定扩大出货规模，不断拓宽海内外市场份额，稳步提升自身在全球产业链当中的话语权。全球存储市场长期由海外头部企业主导，DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家企业占据绝大多数份额，NAND 闪存市场同样由韩国厂商占据领先位置；而长鑫存储与长江存储凭借持续投入研发资金、搭建本土化供应链、持续扩充晶圆产线，一步步实现技术突破与产能释放，持续稳定抢夺增量市场订单，不断缩小和海外头部厂商之间的差距。下面从双雄赛道分工、技术迭代成果、市场份额增长数据、产能扩产规划、海内外客户落地五大板块做深度拆解。

一、存储双雄赛道分工与业务定位

1. 两大企业核心业务清单

表格

2. 产业协同优势

两家企业形成完美互补，覆盖存储芯片两大主流品类，共同构建起国内存储自主产业链。长鑫聚焦计算机、服务器、手机的内存产品，长江存储主攻固态硬盘、U 盘、手机闪存，产品覆盖消费电子、云计算服务器、工控设备等全场景，能够为国内终端厂商提供一站式存储芯片配套方案，大幅降低国内电子产业对外采购的依赖度。

二、两大企业技术迭代最新成果

1. 长鑫存储 DRAM 技术突破

1. 完成第五代 G5 技术平台量产，采用先进微缩工艺，单块晶圆产出芯片数量相比上一代提升 50%，LPDDR5X、LPDDR6 芯片顺利实现商用。
2. 启动 4F² 单元架构研发，新一代 DDR5 服务器内存产品进入研发收尾阶段，进一步优化芯片密度与功耗表现，持续拉近与韩国头部厂商的技术差距。
3. HBM3 高带宽内存进入试产阶段，面向 AI 服务器高端存储市场布局，补齐高端内存产品短板。

2. 长江存储 NAND 闪存技术突破

1. 自研 Xtacking 4.0 架构落地，顺利量产 294 层 3D TLC NAND 闪存，堆叠层数稳居全球第一梯队，芯片存储密度持续提升。
2. 持续优化闪存芯片良率与稳定性，产品顺利进入服务器、消费级固态硬盘市场，已经与多家主控芯片厂商达成长期战略合作。
3. 稳步推进下一代多层堆叠闪存研发，持续巩固在大容量闪存领域的技术竞争力。

三、市场份额稳步增长，持续拓宽全球市场

1. 长鑫存储市场数据：2026 年第二季度全球 DRAM 市场份额提升至 10%，稳居全球第四名；营收实现爆发式增长，一季度营收同比增幅超过 700%，顺利实现规模化盈利，订单以国内服务器、智能手机厂商为主，同时稳步拓展海外客户资源。
2. 长江存储市场数据：2026 年三季度全球 NAND 闪存出货份额达到 17%，超越铠侠和美光，稳居全球第三位；营收连续多个季度翻倍增长，国内服务器、消费电子厂商订单持续饱满，海外出货量稳步提升。
3. 市场格局变化：在存储周期上行阶段，国产存储双雄依托稳定的产能与本土化交付能力，持续承接行业增量订单，稳步分流全球存储市场的新增份额，推动全球存储供应链朝着多元化方向发展。

四、长期产能扩产落地规划

1. 长鑫存储扩产计划

持续投入超募资金建设新一代产线，预计未来一年晶圆产能提升 31%，月产能提升至 42 万片；中长期规划在 2028 年实现产能接近翻倍，持续满足国内外不断增长的 DRAM 采购需求。

2. 长江存储扩产计划

启动多座新建晶圆工厂建设，现有产线逐步拉满产能，新建产线全部投产后，整体月产能实现翻倍，进一步释放 NAND 闪存出货能力，持续扩大市场供给规模。

五、海内外客户拓展落地步骤

步骤 1：深耕国内本土市场，优先保障国内服务器、手机、PC 厂商的芯片供货，完成国内存储自主配套，筑牢基本盘订单。

步骤 2：持续优化产品稳定性与一致性，完成主流存储行业认证，对接国内固态硬盘、内存模组厂商，搭建完整下游分销渠道。

步骤 3：稳步推进海外市场认证，面向东南亚、欧洲等地区的终端客户开展产品送样，逐步拓展海外增量订单，稳步提升全球出货占比。

步骤 4：搭建长期技术合作体系，与上下游设备、材料企业协同攻关，完善本土供应链，持续降低生产成本，进一步提升产品市场竞争力。

六、整体产业发展总结

长鑫存储与长江存储组成的国产存储双雄，依靠清晰的赛道分工、持续不断的技术研发、稳步落地的产能扩张，一步步实现市场份额持续上涨，不断完善国产存储产业链。两家企业分别在 DRAM 与 NAND 赛道稳步追赶行业头部厂商，持续承接全球存储市场增量订单，推动全球存储产业形成多元化竞争格局。依托庞大的国内市场需求、持续的资本投入以及全产业链协同发展，国产存储双雄将保持长期稳健增长势头，持续提升全球产业竞争力。

【相关 FAQ】

问题 1：国产存储双雄长鑫与长江存储快速崛起，两家企业分别主攻哪一类存储芯片？

回答 1：长鑫存储主攻 DRAM 内存芯片，面向服务器、手机、电脑内存市场；长江存储深耕 NAND 闪存芯片，用于固态硬盘、手机闪存等产品，两家企业形成赛道互补，共同组成国产存储双雄，补齐国内存储两大核心品类。

问题 2：长鑫存储与长江存储市场份额持续提升，目前两家企业在全球存储行业排名如何？

回答 2：长鑫存储在全球 DRAM 内存市场份额达到 10%，稳居全球第四名；长江存储 NAND 闪存全球份额提升至 17%，位列全球第三名，两家存储双雄的行业排名持续稳步向上，不断扩大全球市场占有率。

问题 3：国产存储双雄能够持续稳步拓展市场，核心依靠哪些核心支撑条件？

回答 3：首先是持续的技术迭代，长鑫与长江存储不断更新芯片架构、优化工艺，实现高端产品量产；其次是持续扩产，晶圆产能持续爬坡，保障稳定供货；同时依托国内庞大的终端消费市场，拥有充足的本土订单基本盘，再逐步拓展海外市场，实现稳步增长。

问题 4：长鑫存储与长江存储都在持续扩产，未来产能提升会给全球存储市场带来哪些积极变化？

回答 4：存储双雄产能持续翻倍增长，能够进一步增加全球存储芯片供给，优化全球存储供应链结构，打破单一区域厂商主导市场的局面；同时充足的产能可以保障国内电子产业链的芯片自主供应，让下游终端厂商拥有更多采购选择，带动整个数字硬件产业稳定发展。

问题 5：国产存储双雄追赶海外头部厂商，当前产品技术已经达到什么水平？

回答 5：长鑫存储完成第五代 DRAM 平台量产，DDR5、LPDDR6 产品实现商用，同步布局 HBM 高端内存；长江存储实现 294 层堆叠闪存量产，达到全球第一梯队工艺水平，两家企业在成熟制程产品上已经具备规模化商用能力，高端产品持续稳步推进研发落地。

【参考资料】

[2026-10-26] SK 海力士重启大连工厂建设 国产存储崛起带动产业变局 证券时报

[2026-10-26] 国产存储双雄崛起：长鑫、长江存储市占率持续走高 财联社

[2026-10-20] 长鑫存储第五代技术平台量产，DRAM 份额突破 10% 经济参考网

[2026-10-16] 长江存储 NAND 份额升至 17%，稳居全球第三 OFweek 电子工程网

[2026-09-07] 长鑫、长江存储营收大幅增长，国产存储进入规模化盈利期 电子工程专辑

[2026-07-28] 长鑫登陆科创板，国产存储冲击全球格局 环球网

免责声明

本文中长鑫存储、长江存储的市场份额、营收数据、产能规划、技术进展均来自国际第三方调研机构公开报告与企业官方发布信息，仅作为产业研究参考；存储芯片行业具备强周期性，产品价格、订单规模会受全球供需周期、下游消费需求影响；企业产能释放、海外市场拓展进度会受供应链配套、产品认证节奏等多重因素影响；所有产业发展预测均不构成投资建议。