记忆是我们生存的基本工具，与我们如何编码、回忆和响应外部刺激密切相关。在过去的十年中，广泛的研究集中在记忆编码细胞(称为印迹细胞)及其突触连接上。这项研究大部分集中在兴奋性神经元和神经递质谷氨酸上，强调它们在特定大脑区域之间的相互作用。

为了扩大对记忆的理解，由 KAANG Bong-Kiun(首尔国立大学基础科学研究所)领导的研究小组开发了一种名为 LCD-eGRASP(局部电路双 eGRASP)的技术，该技术可以标记特定区域内神经回路的突触。大脑区域。研究小组应用这项新技术来识别抑制性中间神经元和印迹细胞之间的局部突触连接，揭示抑制性中间神经元在记忆表达中的作用。

研究人员的目标是基底外侧杏仁核(BLA)，这是脊椎动物中进化上保存完好的大脑区域，以控制动物的积极和消极情绪，尤其是恐惧而闻名。当与恐惧相关的事件发生时，在该特定时间点激活的神经元变成印迹细胞，编码恐惧记忆。

BLA 中这些印迹细胞的后续活动会导致恐惧记忆回忆过程中的恐惧反应。允许这些印迹细胞之间进行信号转导的神经结构称为突触，它充当我们大脑的功能单元，就像半导体设备中的单个晶体管一样。

Kaang 博士是记忆和突触水平印迹领域的顶尖专家之一。在之前的研究中，他的团队开发了 Dual-eGRASP(跨突触伙伴的绿色荧光蛋白重建)技术，可以选择性地标记印迹细胞之间的突触，定义为印迹突触。