光刻大战开打，三星、SK 海力士重金抢 ASML EUV 配额，为先进 DRAM、HBM 扩产卡位

当前存储行业新一轮光刻竞争已经开启，三星电子、SK 海力士正在竞争性向 ASML 下单 EUV 光刻机，两家各自投入规模在 10 万亿～20 万亿韩元，核心目标锁定 2027–2028 年稀缺的 EUV 交付产能，用来支撑 1c 及以下先进 DRAM 制程、HBM 高带宽内存扩产；ASML 已经预警，就算 2027、2028 年 EUV 产能连续提升 30%，依然满足不了客户需求，设备交期拉长到原来两倍，存储厂商占 ASML 整机销售比重已经接近一半，先进 DRAM 制程微缩之后，单颗晶圆需要 EUV 曝光层数变多，对机台数量需求暴涨，谁先锁定排期，谁就能在 AI 存储赛道拿到产能和成本优势。

两家厂商投资与产线规划清单

1. SK 海力士

• 已有明确订单：今年 3 月官宣采购约 11.95 万亿韩元 EUV 设备，交付截止 2027 年底
• 工艺方向：1c（第六代 10nm 级 DRAM），EUV 曝光层数提升至 5 层以上
• 长期布局：已经导入量产型 High NA EUV，面向下一代 DRAM、HBM

1. 三星电子

• 配套平泽 P5 新晶圆厂，P5 目标 2028 年投产，单厂投资超 60 万亿韩元
• 五年总本土投资计划 450 万亿韩元，覆盖存储、逻辑芯片
• 节奏：2027 上半年 P5 洁净室完工，之后批量搬入 EUV 光刻设备

行业供需对比表

背后核心逻辑说明

AI 带动服务器内存、HBM 需求爆发，DRAM 从周期复苏走向高附加值产品放量；老一代多重曝光工艺已经很难支撑 1c 及以下节点，必须依赖 EUV 简化工序、提升良率；EUV 是刚性瓶颈，厂房、配套设备都可以加速建设，但 ASML 光刻机产能爬坡很慢，所以两家不惜提前锁单、追加预算，避免产线建好之后没有光刻设备可用。

【相关 FAQ】

问题 1：三星海力士重金争夺 EUV 产能，主要是为了什么？

回答 1：三星海力士抢 EUV 产能，主要是为先进 DRAM、HBM 扩产，1c 等新制程离不开 EUV，AI 带动高端存储需求，EUV 排期决定后续产能释放节奏。

问题 2：SK 海力士的 EUV 订单规模和交付时间是什么？

回答 2：SK 海力士在今年 3 月披露 11.95 万亿韩元 EUV 采购订单，这批设备交付截止到 2027 年 12 月 31 日。

问题 3：ASML 的 EUV 产能足够满足三星、SK 海力士扩产吗？

回答 3：ASML 明确预警，就算 2027、2028 年 EUV 产能连续提升 30%，依然存在供给缺口，交期拉长，竞争会持续。

问题 4：先进 DRAM 制程为什么要用更多 EUV？

回答 4：1c 这一代 DRAM 电路间距更小，EUV 曝光层数从过去 3 层增加到 5 层以上，单条产线需要的光刻机数量显著上升。

【参考资料】

[2026-11-10]（光刻大战开打！三星海力士重金夺 EUV 产能 加码先进 DRAM 扩产）集微网

[2026-11-09]（三星、SK 海力士争抢 EUV 交付配额 加码先进 DRAM 扩产）新浪财经

[2026-11-09]（三星 SK 海力士争抢 EUV 配额 各投超 10 万亿韩元扩产 DRAM）ZAKER

[2026-11-09]（都在抢 EUV 光刻机）36 氪

【免责声明】

本文为行业新闻信息整理，设备交付、资本开支、存储价格走势存在不确定性；存储周期、芯片供需受下游 AI 需求、厂商扩产节奏、出口管制多重变量影响，不构成投资建议。