长鑫 HBM3E 完成客户送样 产品良率突破 20%

长鑫自主研发的 HBM3E 高带宽内存芯片已经正式向国内多家 AI 芯片企业完成送样测试，现阶段产品良率稳定突破 20%，整个项目从立项研发、晶圆制造、多层堆叠封装再到样品测试，都按照既定技术路线稳步推进，研发团队持续优化 TSV 硅通孔工艺与多层键合技术，不断缩小和国际头部厂商的技术差距，稳步推进小批量试产计划，为国产 AI 算力供应链补齐高端内存环节打下坚实基础。

一、HBM3E 产品当前核心进展

1. 样品交付进度 长鑫 HBM3E 已经完成多批次工程样片的制作，顺利交付给国内主流 AI 芯片设计企业开展兼容性测试，客户正在针对芯片带宽、功耗、稳定性进行全场景验证，后续将根据测试结果持续优化工艺参数，为后续量产做好准备。
2. 良率提升成果 当前 HBM3E 产品整体良率已经稳定超过 20%，这是国产高端 HBM 芯片在多层堆叠工艺上取得的阶段性突破。研发团队针对晶圆翘曲、多层键合缺陷等难点持续优化生产流程，后续随着工艺持续打磨，良率还会稳步向上攀升。
3. 技术研发投入 长鑫从 2024 年就启动 HBM3E 项目研发，集中资源攻克垂直堆叠、硅通孔、高温封装等核心技术，依托国内成熟的晶圆制造与先进封装产业链，稳步推进产品迭代，走出一条自主可控的高端存储芯片研发路线。

二、产品量产规划清单

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三、工艺优化核心步骤

第一步，优化晶圆制造工艺，提升基础裸晶的良品水平，减少底层晶圆本身的缺陷问题；

第二步，升级 TSV 硅通孔制造工艺，提升通孔精度与电镀稳定性，保障多层芯片互联的可靠性；

第三步，改进多层堆叠键合工艺，控制热应力带来的芯片开裂、翘曲问题，进一步拉高堆叠环节良率；

第四步，搭建专属测试平台，完成带宽、延迟、高温稳定性全项检测，保障交付样品符合 AI 服务器使用标准。

【相关 FAQ】

问题 1：长鑫 HBM3E 已经完成送样，现阶段这款芯片良率达到多少？

回答 1：长鑫 HBM3E 目前已经顺利向国内 AI 企业送样，现阶段产品良率稳定突破 20%，后续还会通过工艺优化持续提升良率水平。

问题 2：长鑫 HBM3E 送样之后，下一步会推进哪个生产环节？

回答 2：在完成客户样品测试之后，长鑫计划在两个月之内启动 HBM3E 的小批量试产，逐步打通从样品到量产的全流程。

问题 3：长鑫 HBM3E 主要面向哪些硬件设备使用？

回答 3：长鑫 HBM3E 属于高带宽内存芯片，主要配套 AI 大模型训练服务器、高性能算力显卡，用来满足国产算力基础设施的内存配套需求。

【数据来源】

[2026-10-28]（知情人士：长鑫科技将启动先进 AI 内存芯片生产）中国新闻网

[2026-10-28]（长鑫 HBM3E 送样测试，开启小批量生产筹备）路透社中文资讯

[2026-09-07]（长鑫 HBM 产品迭代进度跟踪）南方都市报

[2026-06-25]（国产 HBM 堆叠工艺难点与良率提升方案）芯智讯

免责声明：本文内容均来自公开行业资讯与企业研发进度信息，产品良率、量产时间会随着工艺迭代持续调整，最终量产参数以长鑫科技官方发布信息为准。