新型 Z2RAM 内存融合 SRAM DRAM NAND 多项技术优势

这款 Z2RAM 新型内存能够同时集齐 SRAM、DRAM、NAND 三类主流存储的核心优势，能够解决当下 AI 芯片普遍遇到的内存墙问题，这项技术落地的完整路径分为硬件架构优化、制造工艺简化、性能指标迭代三个环节，最终可以实现兼顾高速读写、大容量存储、低成本量产的综合效果。首先在硬件架构层面，Z2RAM 放弃了传统 DRAM 一晶体管加电容的设计，改用双晶体管零电容存储单元，依靠晶体管栅极电容保存电荷，读取数据时不会破坏原有存储信息，直接省去 DRAM 必须执行的读后回写操作，拿到和 SRAM 持平的运行速度；其次在密度设计上，双晶体管单元可以做到更高的集成度，初代产品比特密度达到 SRAM 的 5 倍以上，具备 DRAM 高密度存储的特点；最后在制造环节，整体堆叠方案借鉴 NAND 闪存多层垂直制造思路，采用标准后段制程，不需要使用 EUV 光刻机，大幅降低芯片生产门槛，实现 NAND 级别的可制造性。

一、Z2RAM 核心架构设计清单

1. 存储单元结构：双晶体管零电容架构，无外置无源电容。
2. 数据读写特性：读取不破坏存储电荷，无需读后回写，延迟更低。
3. 密度参数：同等芯片面积下，存储容量为 SRAM 的 5 倍以上。
4. 带宽表现：保持与 SRAM 对齐的高带宽水平，满足 AI 算力需求。

二、Z2RAM 制造工艺优势清单

1. 光刻设备：全程使用常规光刻机，无需昂贵的 EUV 设备。
2. 堆叠方式：多层存储采用单次光刻成型，参考 NAND 垂直堆叠逻辑。
3. 封装方案：不需要 HBM 所需的硅中介层与堆叠封装，简化整体结构。
4. 生产成本：制造难度低于 HBM 内存，有利于规模化量产。

三、Z2RAM 与传统三类内存性能对比表

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四、技术落地应用场景

1. AI 加速芯片：缓解算力与内存带宽不匹配的内存墙瓶颈。
2. 高性能数据中心：兼顾高带宽与大容量，降低整机硬件成本。
3. 高端嵌入式芯片：在有限芯片面积里实现高速大容量存储。

【相关 FAQ】

问题 1：Z2RAM 新型内存能不能同时拥有 SRAM、DRAM、NAND 的全部优势？

回答 1：Z2RAM 新型内存可以同时拥有 SRAM 的高速读写、DRAM 的高存储密度、NAND 闪存的简易制造这三项核心优势，架构设计规避了传统三类内存各自的短板，实现三项性能指标的平衡兼顾。

问题 2：Z2RAM 新型内存相比 HBM 内存，在制造环节有哪些优势？

回答 2：Z2RAM 新型内存不需要采用 HBM 的堆叠封装与硅中介层，生产不用 EUV 光刻机，多层存储可以单次光刻完成，制造工艺更简单，整体量产成本更低。

问题 3：Z2RAM 新型内存的存储密度相比 SRAM 可以提升多少？

回答 3：初代 Z2RAM 新型内存的比特密度可以达到 SRAM 的 5 倍以上，在保持 SRAM 同等带宽速度的前提下，大幅提升芯片存储容量。

【数据来源】

[2026-10-29]（集 SRAM、DRAM、NAND 优点于一身！英特尔前 CEO 开发新型内存：制造比 HBM 更简单）快科技

[2026-10-28]（内存墙有救了！前英特尔 CEO 押注的内存：不用 EUV）新浪科技

[2026-10-28]（英特尔前 CEO 基辛格押注 Z2RAM 内存架构）电子工程专辑

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