HBM5 迎来散热革新，SK 海力士 iHBM 将冷却元件内置进封装，热阻下降 30%

SK 海力士推出名为 iHBM 的全新散热方案，专门用于下一代 HBM5 高带宽内存，核心做法是在 HBM 封装内部直接加装 ICE 集成冷却元件，瞄准发热最集中的 D2D PHY 互联区域新增独立散热通道，对比传统依靠基底裸片间接导热的方案，这套方案能够把热阻降低 30% 以上，随着 HBM 堆叠层数持续增加、带宽和频率不断拉高，D2D 接口区域功率密度暴涨，散热已经限制 HBM5 稳定跑满性能，iHBM 采用成熟 MR-MUF 封装工艺，和现有 SiP 系统封装架构兼容，客户不需要大规模修改主板和散热设计，就能导入到 AI 加速卡、服务器算力模组里面，帮助 HBM5 在高负载、长时间连续运算场景下稳住温度，支持更高的频率和更多堆叠层数，缓解 AI 算力集群的散热压力。

一、iHBM 核心部件说明

二、传统 HBM 散热和 iHBM 方案对比

1. 传统散热方式：热量全部先传递到基底裸片，再向外传导到封装顶盖、冷板，导热路径长，D2D 区域热量容易堆积，堆叠层数越高，热点越难压下去。
2. iHBM 新方案：ICE 直接嵌入 D2D PHY 区域，热点就近导出，不用全部走基底裸片，热阻下降 30%，高温下稳定性提升。

三、工艺与客户适配要点

• 封装工艺：沿用经过量产验证的 MR-MUF（Mass Reflow Molded Underfill）晶圆级封装工艺，量产风险可控。
• 兼容性：兼容当前主流 SiP 封装方案，客户改动量小，降低导入成本和开发周期。
• 落地规划：iHBM 技术优先搭载在 HBM5 产品上，面向 AI 数据中心、高性能计算场景。

四、这项技术带来的实际价值清单

• 允许 HBM5 做更高堆叠层数、更高运行频率，释放带宽上限
• 长时间高负载训练、推理时，减少因为温度触发降频
• 降低整机外部液冷散热系统的压力，数据中心散热功耗可以优化
• 同一套外部散热条件下，HBM5 的运行温度更低，延长芯片使用寿命

五、现存局限

• ICE 是封装内导热元件，不是液冷微通道，本身不带冷媒循环，只是优化导热路径
• 方案主要针对 HBM 内部热点，整机层面的冷板、水冷结构依然需要配套设计
• 目前是技术方案发布，HBM5 搭载 iHBM 的大规模量产时间还没有对外公布

【相关 FAQ】

问题 1：HBM5 散热革命，SK 海力士塞进封装里的冷却元件是什么？

回答 1：这个冷却元件叫 ICE 集成冷却元件，是绝缘硅基高导热材料，放在 D2D PHY 高热区域，新增独立导热通道，实现 HBM5 热阻降低 30%。

问题 2：HBM5 散热革命，SK 海力士 iHBM 为什么选择在 D2D PHY 位置布置冷却元件？

回答 2：D2D PHY 是 HBM 和 GPU 之间高速传输的接口，是整颗 HBM 发热最集中的位置，在这里加装 ICE 可以就近疏导热点，缩短导热路径。

问题 3：HBM5 散热革命，SK 海力士这套 iHBM 方案需要客户大幅改动现有设计吗？

回答 3：不需要，iHBM 基于成熟 MR-MUF 工艺，和现有 SiP 封装架构兼容，客户只需要小幅调整，不用大规模重新设计散热和基板。

问题 4：HBM5 散热革命，SK 海力士 iHBM 是内置液冷结构吗？

回答 4：不是，ICE 属于高导热固体导热元件，没有液体循环通道，是封装级导热优化方案，用来降低热阻，不是微流道液冷。

【参考资料】

[2026-10-22]（内存越堆越烫！SK 海力士把散热件塞进夹层：热阻降低 30%）太平洋科技

[2026-05-26]（SK 海力士发布控温散热存储技术 iHBM，助力 HBM5）SK 海力士新闻中心

[2026-05-26]（存储散热新技术！SK 海力士发布 iHBM 冷却方案 可降低热阻超 30%）科创板日报

[2026-07-03]（芯片冷却，涌现大量 “黑科技”）36 氪

【免责声明】

iHBM 热阻降低 30% 为 SK 海力士实验室测试数据，实际效果受整机散热方案、工作负载、环境温度影响；HBM5 搭载 iHBM 的量产时间表、供货计划以 SK 海力士后续官方公告为准，本文信息仅为半导体行业资讯，不构成采购、投资建议。