专利超 300 件长鑫十年技术布局依靠架构创新突破外部技术壁垒

长鑫用十年时间完成底层技术布局，依靠 4F² 全新架构搭配自研垂直晶体管技术，累计拿下超 300 件核心专利，走出了一条不依赖传统先进光刻设备的技术路线，顺利突破外部技术壁垒，在新一代 DRAM 赛道站稳先发优势。整个研发路线分为整体方向敲定、核心器件自研、制造工艺重构、专利全域布局四个完整步骤，最终实现用架构创新替代单纯依赖制程微缩的传统路径，跳出海外成熟技术体系的限制。

一、整体技术路线规划（十年顶层设计）

1. 行业现状：传统 DRAM 长期使用 6F² 平面架构，进入 10 纳米节点之后，平面结构遇到短沟道漏电、物理尺寸瓶颈，想要继续缩小芯片尺寸，必须依靠 EUV 高端光刻机，而这条技术路线存在外部供应链限制。
2. 长鑫研发选择：放弃跟随海外厂商继续在 6F² 架构里迭代工艺，直接跳代研发 4F² 三维存储架构，把晶体管从水平摆放改成垂直竖立，从底层器件结构上绕开平面工艺的物理瓶颈，不再单一绑定高端光刻设备。
3. 长期规划：从企业创立之初就定下十年研发节奏，前期投入资源做器件基础研究，中期落地工艺开发，后期完成专利布局与产品流片，把技术主动权牢牢握在自身手里。

二、核心器件自研：VSG 垂直环绕栅晶体管

1. 核心创新点：自主研发 VSG 垂直环绕栅晶体管，栅极从四周包裹垂直硅沟道，电流垂直流动，栅极控制能力大幅提升，彻底解决平面晶体管的漏电问题，这是 4F² 架构能够落地的核心基础电子工程专...。
2. 性能提升：采用垂直结构之后，存储单元占用面积大幅缩减，同等晶圆面积下，存储密度比主流 6F² 架构提升 30% 至 50%，在不升级光刻机的前提下，实现芯片容量大幅提升证券时报。
3. 研发落地：重新搭建整套工艺流程，针对字线金属化、位线成型、结激活等关键工序逐一攻关，无法直接沿用旧工艺，完全打造独立的工艺体系电子工程专...。

三、制造工艺重构：晶圆级混合键合三维集成

1. 工艺解耦方案：把存储阵列单元和外围逻辑电路拆分开来，在两片独立晶圆上分别完成制造优化，再通过 12 英寸晶圆级混合键合技术做三维拼接集成。
2. 技术价值：将存储部分与逻辑部分的制造工艺分开优化，不需要整套产线都匹配最严苛的光刻条件，依靠三维堆叠技术提升芯片集成度，有效对冲外部设备限制带来的影响。
3. 技术成果：长鑫在混合键合方向的公开专利数量跻身全球前十，2025 年完成 DRAM 与 CMOS 晶圆键合的实验验证，为后续 3D DRAM 量产打下工艺基础电子工程专...。

四、十年专利布局：累计架构专利突破 300 件

1. 专利布局节奏：从启动 4F² 架构研究开始，同步开展全球专利申请，十年持续进行技术确权，目前 4F² 架构相关公开专利族总量已经超过 300 件，专利数量处于海内外同赛道厂商前列电子工程专...。
2. 专利战略：跳出二维 DRAM 时代只能缴纳专利许可费的跟随者局面，在垂直晶体管、三维堆叠存储这条全新赛道提前完成专利卡位，未来可以和海外头部企业实现专利交叉许可，建立平等的技术合作关系。
3. 专利覆盖范围：专利覆盖器件结构、工艺流程、三维键合、电路设计等全链条技术，形成完整的专利保护网，保障整条技术路线不受外部专利壁垒制约。

五、技术落地成果清单

表格

六、整条技术路线的最终结论

长鑫没有在传统平面工艺里被动追赶，而是用架构创新改变 DRAM 芯片的底层设计逻辑，依靠垂直晶体管 + 三维键合的组合方案，摆脱对高端光刻设备的依赖；同时提前十年完成 300 余件核心专利布局，在新一代存储技术赛道拿到先发席位，依靠自主架构实现技术自主可控，稳步突破外部技术壁垒。

【相关 FAQ】

问题 1：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，长鑫架构创新的核心技术是什么？

回答 1：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，核心技术包含两大板块，第一是自研 VSG 垂直环绕栅晶体管，搭建 4F² 全新存储架构；第二是晶圆级混合键合三维集成工艺，把存储与逻辑电路分开制造再三维合片，从器件和工艺两个层面实现技术突破。

问题 2：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，长鑫布局 300 多件架构专利的作用是什么？

回答 2：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，这 300 多件 4F² 架构专利，首先可以形成完整的技术保护壁垒，防止技术成果被侵权；其次可以在新一代 3D DRAM 赛道完成专利卡位，未来实现和海外厂商专利交叉许可，摆脱单向支付专利费的局面，掌握产业技术话语权。

问题 3：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，4F² 架构相比传统 6F² 架构优势体现在哪里？

回答 3：专利超 300 件！长鑫十年技术布局：依靠架构创新突破外部技术壁垒，4F² 架构把晶体管改为垂直结构，解决漏电难题，单元面积更小，存储密度提升 30% 至 50%；同时不需要持续依赖 EUV 高端光刻机，依靠三维堆叠工艺就能提升芯片集成度，绕开传统制程迭代带来的设备限制证券时报。

【数据来源】

[2026-10-20]（专利超 300 件！长鑫的十年阳谋：用架构创新绕开封锁）快科技

[2026-10-13]（长鑫科技 4F²DRAM 架构取得关键进展）电子工程专辑

[2026-10-10]（长鑫技术新突破：4F² 架构产品预计年底亮相）电子工程专辑

[2026-09-20]（长鑫存储第五代技术平台正式量产）长鑫存储官网

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