国产内存率先落地 4F2 架构长鑫存储官方回应技术进展

2026-10-31 23:40:07 来源：网易编辑：包秋朗

长鑫存储在内存技术史上取得重大突破，成为国内首家推进 4F2 架构 DRAM 工程化落地的内存厂商，同时也是全球范围内率先完成 4F2 架构工程样片验证的企业，在最新投资者交流活动中，长鑫存储正式对外回应了 4F2 架构的研发进度、技术路线与量产规划，整套技术方案已经完成晶圆验证，下一步将进入客户送样环节，为后续规模化量产打下完整基础。这一技术突破打破了现有 6F2 架构的单元面积瓶颈，依靠自研垂直沟道晶体管缩小存储单元尺寸，直接提升单块晶圆的芯片产出数量，同时兼顾芯片功耗与漏电控制，让国产内存正式进入下一代高密度存储技术赛道。长鑫存储从技术研发、专利布局、样片验证到产品落地，形成了完整推进节奏，先完成第六代工艺平台的 4F2 架构样片测试，再优先推出服务器 DDR5 产品，再逐步拓展到消费级内存产品，稳步推进商业化落地。整套技术方案经过多轮晶圆流片验证，核心器件指标达到设计标准，后续只需要完成下游整机厂商的兼容性测试，就可以启动规模化量产。

一、4F2 架构核心技术优势

存储单元尺寸对比清单

当前主流方案：6F2 架构，存储单元面积更大，晶圆芯片产出有限
新一代自研方案：4F2 架构，存储单元面积缩小 33.3%，同等晶圆面积下裸片产出提升 50% 以上
单元结构：采用垂直包围栅 VSG 晶体管，解决短沟道效应，抑制芯片漏电，保障高密度下的运行稳定性

架构带来的三大收益

密度收益：单位面积存储容量大幅提升，更容易做大容量服务器内存
成本收益：单晶圆产出更多芯片，摊薄单片制造成本
功耗收益：器件尺寸缩小，电路功耗进一步降低，契合数据中心节能需求

二、长鑫存储对 4F2 架构的官方回应要点

技术平台规划第六代 DRAM 工艺平台整体以 4F2 垂直沟道架构为核心，目前已经全部完成工程样片验证，各项电学参数、良率指标均达到预设目标。
产品送样节奏计划在当年年底推出首款基于 4F2 架构的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品，优先面向高附加值的服务器市场做客户验证。
量产推进节奏规模量产不会盲目提速，将严格按照下游客户验证进度、市场实际需求稳步推进，先完成服务器品类落地，再逐步向台式机、移动端内存延伸。
技术路线补充说明 DRAM 位密度提升是系统性工程，字线、位线、电容结构需要协同优化，长鑫已经完成数百项专利布局，依靠自研器件结构应对先进制程的物理瓶颈，稳步走通 4F2 架构产业化路线。

三、4F2 架构研发推进步骤

前期技术储备阶段提前多年启动 4F2 架构研发，累计申请公开专利族超过 300 件，连续多年发布行业学术论文，完成理论与器件仿真验证。
晶圆工程验证阶段完成第六代工艺平台流片，成功做出 4F2 架构工程样片，通过厂内电性测试、可靠性测试。
客户送样测试阶段年底向服务器整机厂商送出 DDR5 RDIMM 样品，开展兼容性、稳定性长时间测试。
小规模试产阶段待客户认证通过后开启小批量试产，持续优化生产良率，完善制造工艺。
规模化量产阶段根据市场订单情况，稳步扩大产能，把 4F2 架构内存推向商用市场。

四、4F2 架构与现有 6F2 架构参数对比表

表格

项目	4F2 自研架构	主流 6F2 架构
存储单元面积	缩小 33.3%	基准尺寸
单晶圆裸片产出	提升 50% 以上	基准产出
核心晶体管结构	VSG 垂直包围栅	传统平面 / 沟槽晶体管
适用产品	大容量 DDR5 服务器内存	主流 DDR5、LPDDR5 全品类
工艺对应平台	第六代 DRAM 工艺平台	第五代量产工艺平台

五、国产内存技术里程碑意义

长鑫存储率先推进 4F2 架构落地，实现国产 DRAM 从跟随迭代走向架构创新，不再只依靠缩小制程提升密度，而是依靠全新存储单元架构突破工艺物理限制，补齐国内内存产业在前沿器件架构上的短板，进一步完善国产存储芯片的技术迭代路线。

【相关 FAQ】

问题 1：长鑫存储 4F2 架构的工程样片目前完成到哪一步？

回答 1：长鑫存储 4F2 架构已经完成第六代工艺平台工程样片验证，芯片电性指标达到设计标准，下一步将在年底把 4F2 架构 DDR5 RDIMM 内存产品送往服务器客户做兼容性测试。

问题 2：长鑫存储 4F2 架构相比 6F2 架构最大提升是什么？

回答 2：长鑫存储 4F2 架构把存储单元面积缩小 33.3%，同等晶圆下芯片产出提升超 50%，搭配自研 VSG 垂直晶体管，在提升存储密度的同时控制漏电，兼顾容量、成本与功耗。

问题 3：长鑫存储 4F2 架构产品什么时候开启规模化量产？

回答 3：长鑫存储表示 4F2 架构规模量产将根据客户验证进度与市场需求稳步推进，优先落地服务器 DDR5 产品，等客户认证完成、良率稳定后再启动大规模量产，不会仓促扩产。

问题 4：长鑫存储在 4F2 架构上做了多少专利布局？

回答 4：长鑫存储很早就启动 4F2 架构研发，公开专利族数量已经超过 300 件，同时连续多年发布学术论文，形成完整的技术专利壁垒，保障 4F2 架构产业化顺利推进。

【数据来源】

[2026-10-31] 长鑫科技回应 4F2 架构量产规划新浪财经

[2026-10-31] 长鑫第六代工艺平台完成 4F2 架构样片验证新浪新闻

[2026-10-10] 长鑫 4F2 架构年底送样 DDR5 服务器内存上海证券报

[2026-10-10] 长鑫存储 4F2 架构自研 VSG 晶体管技术详解电子工程专辑

[2026-09-20] 长鑫存储第五代 DRAM 工艺平台正式量产长鑫存储官网

免责声明：本文所有技术进度、参数信息均来自企业公开交流会记录、官方新闻与行业公开报道；4F2 架构产品量产时间、良率水平会受客户验证、制造工艺优化、市场供需等多重因素影响，本文内容仅用于技术信息解读，不构成产业投资与采购决策依据。