长鑫 4F² 架构顺利完成工程样片验证

长鑫自研的 4F² 垂直沟道 DRAM 架构，已经顺利完成第六代技术平台工程样片验证，整体技术指标全部达到预设设计标准，本次验证落地标志着该架构正式走完内部研发测试环节，后续只需要完成客户端认证，就可以进入规模化量产筹备阶段，在全球同类型先进存储架构研发进程里，长鑫这一技术进度处在行业靠前位置，为下一代 DDR5 高端产品打下稳固的技术根基。该 4F² 架构是长鑫面向先进制程打造的新一代核心技术方案，相比当下主流 6F² 架构，它能够提升单位晶圆内晶体管排布密度，有效突破传统 DRAM 工艺微缩遇到的技术瓶颈，为存储芯片持续缩小制程、提升存储密度提供全新技术路径，长鑫把这套架构直接搭载在第六代 DRAM 技术平台之上，和已经实现量产的第五代平台形成技术接续，保障产品迭代节奏稳步推进。整套研发落地分为四大实施环节，每一步都完成了严格的技术校验。

一、架构设计与仿真环节

1. 完成 4F² 垂直沟道结构的电路模型搭建，针对晶体管漏电、短沟道效应等技术难点，采用 VSG 垂直包围栅结构做优化设计。
2. 依托数字孪生研发系统完成上万次工艺仿真，把光刻、刻蚀、薄膜沉积等工序参数全部固化，提前规避工艺风险。
3. 输出完整版图设计文件，形成可直接投片的工程设计方案。

二、晶圆投片与样品制造环节

1. 依托自有产线完成多批次流片，严格按照第六代平台工艺标准完成晶圆制造。
2. 完成晶圆切割、封装测试，产出可用于性能检测的工程样片。
3. 对样片做基础电性测试，筛选出良品进入下一阶段验证。

三、全指标工程验证环节

1. 电性参数验证：逐一检测漏电流、读写速度、时序稳定性等核心指标，所有参数全部满足设计规范。
2. 可靠性验证：完成高低温循环、长时间通电老化、电压波动测试，样片运行状态稳定。
3. 密度与成本验证：实测单位面积存储容量，验证架构带来的密度提升效果，测算单片晶圆产出收益。

四、验证结果固化环节

1. 整理全部测试数据，形成完整工程验证报告，正式确认 4F² 架构样片验证圆满通过。
2. 锁定工艺制造参数，形成标准化生产文档，为后续客户送样与量产做好准备。
3. 规划产品落地节奏，计划在年内推出搭载这套架构的 DDR5 RDIMM 服务器内存产品。

本次工程样片验证圆满落地，意味着长鑫在下一代 DRAM 核心架构创新上取得实质性成果，这套 4F² 架构可以持续支撑后续多代工艺迭代，进一步拓宽高端服务器内存、移动内存的产品布局，持续完善国产 DRAM 技术自主体系。

【相关 FAQ】

问题 1：长鑫 4F² 架构工程样片验证完成，下一步要推进哪些工作？

回答 1：长鑫 4F² 架构完成工程样片验证后，下一步会把样片送往各大头部客户开展产品认证，客户认证全部通过之后，就可以启动该架构对应的第六代技术平台规模化量产筹备工作，同时推进 DDR5 RDIMM 新品开发落地。

问题 2：长鑫 4F² 架构对比主流 6F² 架构具备哪些技术优势？

回答 2：长鑫 4F² 垂直沟道架构可以提升单位面积内晶体管数量，有效突破传统 DRAM 制程微缩瓶颈，进一步提升芯片存储密度，帮助单片晶圆产出更多裸片，在产品性能与制造成本上都具备明显优势。

问题 3：长鑫 4F² 架构会搭载在哪一代技术平台，对应什么产品？

回答 3：长鑫 4F² 架构搭载在第六代 DRAM 技术平台之上，基于该架构开发的首款产品为新一代 DDR5 RDIMM 服务器内存，计划在当年年底正式推出。

问题 4：工程样片验证通过，在半导体产业里代表什么样的技术进度？

回答 4：按照半导体行业通行标准，4F² 架构工程样片验证通过，代表产品内部技术指标已经全部达标，完成了研发阶段的核心测试，已经来到量产前夜，只需完成客户端验证就能进入量产阶段。

【数据来源】

[2026-10-31]（长鑫科技：基于 4F² 架构的第六代技术平台 DRAM 完成工程样片验证）澎湃新闻

[2026-10-30]（G5 平台量产与 G6 验证接续落地）机器之心

[2026-10-30]（长鑫科技三季报披露 DRAM 技术新进展）财联社

[2026-09-20]（长鑫第五代技术平台正式量产）长鑫存储官网

免责声明：本文所有技术进度、架构参数均来自企业公开发布会与业绩交流会披露内容；工程样片验证不代表最终量产落地，产品量产时间会受客户认证、产线排期等因素影响；本文仅用于产业技术信息参考，不构成投资与采购决策依据。