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中微公司 2026 年前三季度营收突破百亿,净利润同比大增 241%,刻蚀精度达到 0.2 纳米单原子级

2026-10-30 20:20:02 来源:网易 编辑:曹星竹 

中微公司在 2026 年前三季度交出亮眼经营成绩单,营收首次突破百亿元关口,归母净利润实现大幅增长,同时公司刻蚀工艺突破至 0.2 纳米单原子级,技术实力迈入全球第一梯队,业绩增长源于高端刻蚀设备大批量交付、持续高强度研发投入,叠加国产半导体设备自主可控的市场红利,营收利润与技术研发同步实现跨越式突破,整体经营质量持续走高。

一、前三季度核心经营业绩

  1. 营收数据:2026 年前三季度实现营业收入 103.26 亿元,同比上涨 28.08%,首次在前三季度跨过百亿营收门槛,创下历史同期新高。
  2. 利润数据:归母净利润达到 41.34 亿元,同比增幅高达 241.31%,盈利增长幅度显著高于营收增速,产品盈利能力持续提升。
  3. 单季度表现:第三季度营收 36.35 亿元,同比增长 17.18%;归母净利润 13.09 亿元,同比增长 159.02%,高端设备出货持续放量。
  4. 研发投入:前三季度研发支出 32.22 亿元,同比增长 27.70%,研发费用占营收比重达到 31.20%,保持高研发投入节奏,支撑技术持续迭代。

二、业绩大幅增长的核心原因

  1. 高端刻蚀设备交付量提升:面向先进逻辑芯片与存储芯片的多款高端刻蚀设备大批量出货,多类关键刻蚀工艺实现规模化量产,设备付运规模持续扩大,拉动营收稳步上涨。
  2. 产品毛利率稳步提升:随着高附加值先进制程设备占比持续提高,整体毛利较上年同期增加 10.21 亿元,盈利结构持续优化。
  3. 研发转化效率提升:公司同时推进六大类、20 余款新设备研发,新产品开发周期由原来 3 至 5 年缩短至 2 年以内,研发投入逐步转化为量产订单,形成良性循环。
  4. 国产替代市场红利:国内晶圆产线持续扩产,半导体设备自主可控需求旺盛,刻蚀设备订单保持充足,海内外客户装机量稳步增加。

三、刻蚀技术突破:达到 0.2 纳米单原子级

  1. 精度指标:自研双反应台 ICP 刻蚀技术,刻蚀精度稳定达到 0.2 纳米单原子级别,接近单颗硅原子半径,线宽均匀度控制在 0.5 纳米以内,达到国际顶尖工艺水平。
  2. 工艺覆盖范围:刻蚀设备全面覆盖 65 纳米至 3 纳米及以下先进制程,硅刻蚀深宽比可达 140:1,介质刻蚀深宽比最高可达 90:1,满足先进芯片多层堆叠加工需求。
  3. 量产落地成果:目前公司累计超 9300 个刻蚀反应台在海内外芯片产线实现量产装机,高端刻蚀设备已经进入多条先进制程生产线稳定运行。

四、后续经营与技术布局规划

  1. 产品矩阵扩容:持续完善等离子体刻蚀、薄膜沉积、化学机械抛光等多品类设备,打造平台化半导体设备产品线,进一步打开成长空间。
  2. 先进工艺攻坚:持续深耕 3 纳米及更先进节点刻蚀工艺,不断优化双反应台设备稳定性,持续缩小与国际龙头的技术差距。
  3. 市场持续拓展:持续扩大国内晶圆厂供货规模,稳步拓展海外市场,持续提升刻蚀设备全球市场占有率。

【相关 FAQ】

问题 1:中微公司 2026 年前三季度营收破百亿、净利润大增 241%,业绩增长主要依靠哪些业务支撑?

回答 1:业绩增长主要依靠高端刻蚀设备大批量付运,先进逻辑与存储芯片用刻蚀设备实现大规模量产交付;同时高毛利先进制程设备占比提升拉高整体盈利水平,叠加高强度研发投入带来新产品快速落地,国产替代订单充足,共同推动营收破百亿、净利润同比大增 241%。

问题 2:中微公司刻蚀技术达到 0.2 纳米单原子级,这项技术可以应用在哪些芯片制造场景?

回答 2:0.2 纳米单原子级刻蚀技术依托双反应台 ICP 设备,可用于 3 纳米及以下先进逻辑芯片、多层堆叠存储芯片的微观加工,能够实现超高深宽比沟槽刻蚀,满足芯片精细化制造需求,目前已经在多条先进制程产线投入量产使用。

问题 3:中微公司前三季度研发投入超 32 亿元,高额研发投入带来了哪些技术成果?

回答 3:高额研发投入让新产品开发周期缩短至两年以内,目前同时推进六大类 20 余款新设备研发;核心成果就是刻蚀精度突破至 0.2 纳米单原子级,同时开发出 54 款高端半导体设备,刻蚀、薄膜设备实现全品类覆盖,研发成果持续转化为量产订单。

【数据来源】

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免责声明:本文营收、净利润、研发投入等财务数据来自中微公司 2026 年第三季度报告;刻蚀精度、工艺参数等技术信息来自企业官方新闻与公开技术资料;设备出货量、订单规模受下游晶圆厂扩产节奏、行业周期影响;本文内容仅为产业信息梳理,不构成任何投资建议。

 
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