SK 海力士 DRAM 技术方案暂缓推进 4F2、用 EUV 光刻机延长 6F2 工艺寿命

SK 海力士正式公布 DRAM 最新技术路线，现阶段不会急于量产落地 4F2 新一代单元结构，而是把 EUV 光刻机引入现有 6F2 工艺体系，持续对成熟架构做精细化微缩升级，拉长 6F2 技术平台的量产周期，同时稳步推进 4F2 与 3D DRAM 的前置研发，实现成熟产能稳收益、下一代技术做储备的双线布局。之所以选择先给 6F2 续命、暂缓上马 4F2，核心原因是 6F2 工艺已经完成长期量产验证，良率稳定、生产成本可控，而 4F2 结构工艺复杂度更高，短期量产会带来制造成本上升、良率爬坡周期拉长等问题；同时 EUV 光刻设备可以把 6F2 单元尺寸继续向下微缩，持续提升芯片存储密度，不需要立刻更换全新单元架构。整套技术落地分为设备导入、工艺优化、产品迭代、下一代技术储备四个环节，先完成 EUV 设备在 6F2 产线的部署，再优化光刻、刻蚀等关键制程，持续推出更高密度的 DRAM 芯片，等 4F2 工艺的成本、良率全部达到商业化标准后，再开启规模化量产。这套双线技术策略落地之后，既能充分盘活现有成熟产线，保障中长期存储产品的供货稳定性与成本优势，又能守住下一代 DRAM 技术的研发节奏，牢牢把握技术迭代主动权。

一、DRAM 两大单元架构核心参数对比

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二、EUV 光刻机为 6F2 工艺续命的实施步骤

步骤 1：产线设备改造部署

在现有 6F2 DRAM 生产车间内完成 EUV 光刻机的装机调试，把传统 DUV 光刻工序逐步替换为 EUV 光刻，针对存储单元的精细线路做曝光优化，保证微小线路的成型精度。

步骤 2：全制程工艺精细化优化

围绕 EUV 光刻配套调整刻蚀、薄膜沉积、离子注入等上下游工序，持续缩小 6F2 存储单元的最小特征尺寸，在不改动单元基础结构的前提下，稳步提升单颗晶圆的芯片产出数量。

步骤 3：迭代推出新一代 DRAM 产品

依托优化后的 6F2+EUV 工艺，持续推出更高容量、更高带宽的 DDR5、HBM 系列存储芯片，持续满足 AI 服务器、PC 终端对大容量内存的市场需求，充分挖掘现有产线的产能价值。

步骤 4：并行推进 4F2 技术预研

在优化 6F2 工艺的同时，研发团队同步开展 4F2 垂直栅极结构、3D DRAM 堆叠技术的实验室开发，持续攻克工艺难点，等待行业成本与良率条件成熟后再启动量产导入。

三、双线技术路线带来的核心优势

1. 产能收益稳定：继续沿用经过市场验证的 6F2 架构，产线不需要大规模改造，现有产能可以持续稳定出货，规避新架构量产带来的产能波动风险。
2. 成本可控：依托 EUV 光刻实现工艺微缩，不用重构整套生产流程，相比直接切换 4F2 架构，整体制造成本可以维持在较低区间。
3. 技术节奏灵活：一边延长成熟工艺的生命周期，一边储备下一代 4F2 与 3D DRAM 技术，不会出现技术断层，能够根据市场供需灵活调整量产节奏。
4. 产品迭代连续：基于 6F2+EUV 工艺持续迭代存储芯片，保证 DDR5、HBM 等主力产品持续升级，保障面向 AI 算力市场的产品供给。

【相关 FAQ】

问题 1：SK 海力士暂缓推进 4F2 DRAM，为什么选择用 EUV 光刻机给 6F2 续命？

回答 1：SK 海力士暂缓推进 4F2 DRAM，选择用 EUV 光刻机给 6F2 续命，主要是因为 6F2 工艺量产成熟、良率稳定、生产成本更低；引入 EUV 光刻机可以持续缩小 6F2 存储单元尺寸，继续提升芯片集成密度，不用立刻更换全新单元架构；而 4F2 工艺目前工艺复杂度高，短期量产会拉高生产成本、拉长良率爬坡周期，因此优先深挖 6F2 技术潜力，同时稳步研发 4F2 技术。

问题 2：SK 海力士 6F2 DRAM 搭配 EUV 光刻机之后，能够实现哪些技术升级？

回答 2：SK 海力士 6F2 DRAM 搭配 EUV 光刻机之后，可以在保留原有 6F2 单元结构不变的前提下，持续缩小存储单元的最小特征尺寸，提升单晶圆的芯片产出量，迭代推出更高容量、更高带宽的 DDR5 与 HBM 存储产品；同时整条产线不需要大规模重构，只需要优化光刻及配套制程，就能持续拉长 6F2 工艺的量产周期。

问题 3：SK 海力士暂缓量产 4F2 DRAM，是不是意味着放弃 4F2 技术研发？

回答 3：SK 海力士暂缓量产 4F2 DRAM，并不代表放弃 4F2 技术研发。企业采取双线并行策略，一方面用 EUV 光刻机延长 6F2 工艺寿命，保障当前量产产能；另一方面研发团队持续推进 4F2 垂直栅极结构与 3D DRAM 的实验室技术攻关，持续优化工艺良率与制造成本，等到各项指标达到商业化量产标准，再正式开启 4F2 DRAM 的规模化投产。

【数据来源】

[2026-10-28]（SK 海力士亮出 DRAM 底牌：暂缓 4F2，EUV 为 6F2 续命）TrendForce 集邦咨询

[2026-10-28]（SK 海力士 DRAM 双线技术路线公布）财联社

[2026-10-28]（SK 海力士财报会议：优先深挖 6F2 工艺潜力）东方财富网

[2026-10-28]（SK 海力士 6F2+EUV 工艺迭代方案）XenoSpectrum 半导体资讯

[2026-06-09]（SK 海力士下一代 DRAM 4F2 技术研发规划）SK 海力士官方新闻中心

免责声明：本文内容均来自企业财报发布会实录与权威半导体行业媒体公开报道，仅用于存储行业技术科普；6F2 工艺迭代进度、4F2 量产时间表以 SK 海力士后续官方发布信息为准；EUV 光刻工艺带来的芯片密度提升效果会随着制程调试持续优化，本文不承担因技术迭代、产线调试带来的数据变动责任。