国产 DRAM 迎来技术突破 长江存储将量产 9600MT/s LPDDR5X 内存

长江存储正式完成高速移动 DRAM 技术迭代，即将在自有工厂投产速率达到 9600MT/s 的 LPDDR5X 芯片，补齐国产高端低功耗移动内存的产品缺口，整体技术指标对标国际一线存储大厂，实现从闪存主业向 DRAM 赛道的高质量跨界拓展。这款新品不是短期研发成果，企业已经完成多轮工程样品验证与小批量试产，从 7500MT/s 的初代 LPDDR5 稳步升级到 9600MT/s 的 LPDDR5X，同时采用全新 4F² 存储单元架构与垂直通道晶体管技术，在芯片密度、功耗控制、高速信号稳定性上实现全方位升级，能够充分满足旗舰手机、平板、端侧 AI 设备的高带宽需求。先梳理清楚产品迭代路线、核心架构升级要点，再明确量产产线与产能规划，最后匹配下游终端应用场景，就能完整看懂这一次国产 DRAM 的技术跨越，为后续国产存储全品类自主可控打下坚实基础。

一、产品迭代完整历程

1. 前期技术铺垫阶段

长江存储从 2025 年 10 月启动第二代 16Gb LPDDR5 DRAM 的研发与小批量试产，落地在武汉 Fab 2 厂区，初期量产速率为 7500MT/s，月度晶圆产出规模稳定在 5000 片，完成了基础工艺、芯片良率、平台兼容性的全流程验证，积累了成熟的 DRAM 制造经验。

2. 新一代 LPDDR5X 技术升级阶段

在初代产品基础上，研发团队完成架构革新，把传统 6F² 单元升级为 4F² 先进存储单元，同时导入垂直通道晶体管 VCT 工艺，有效缩小单颗存储单元面积，同等芯片面积下存储密度大幅提升，芯片制造成本同步优化，信号传输稳定性可以支撑 9600MT/s 的超高速率。

3. 量产落地规划

9600MT/s LPDDR5X 确定落户武汉 Fab 3 工厂，该厂区同步规划 NAND 闪存与 DRAM 两条产线，后续会根据客户订单持续爬坡产能，逐步形成稳定的高端移动内存供货能力。

二、9600MT/s LPDDR5X 核心技术参数

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三、核心技术深度解析

（一）4F² 存储单元架构优势

传统 DRAM 普遍采用 6F² 单元结构，4F² 架构把存储单元尺寸压缩到更小范围，单位晶圆可以产出更多芯片，直接提升晶圆产出效率、摊薄单片制造成本。同时更小的单元尺寸可以降低晶体管漏电，保障高频运行下的稳定性，是全球新一代 DRAM 统一选择的主流技术路线，和国内长鑫存储的 DDR5 技术路线保持同步，形成国产存储集体攻坚先进架构的格局。

（二）VCT 垂直通道晶体管技术

垂直通道晶体管改变了平面晶体管的布局方式，把沟道垂直排布，大幅缩小芯片横向占用面积，进一步提升芯片密度；同时能够优化电流导通效率，降低高速传输时的信号衰减，保障 9600MT/s 高频带宽下不会出现信号丢包、稳定性下降的问题，完美支撑 LPDDR5X 的高速运行需求。

（三）向下兼容的产品设计

这款 LPDDR5X 完全兼容 LPDDR5 硬件平台，终端厂商不需要大规模修改硬件电路，只需要调整固件参数，就可以直接把原有 LPDDR5 方案升级到 9600MT/s 高速版本，降低下游客户的平台改造成本，缩短产品导入周期。

四、下游应用场景落地规划

1. 智能手机旗舰机型：为新一代旗舰手机提供高带宽内存，支撑端侧 AI 大模型、4K 视频拍摄、大型手游等高负载场景，提升多任务并发处理速度。
2. 高端平板与轻薄笔记本：搭配 LPCAMM2 新型内存模组，在有限机身空间内实现大容量 + 高带宽，同时控制整机功耗与机身厚度。
3. 便携 AI 终端与边缘计算设备：高带宽、低功耗的特性，满足本地模型推理、图像识别等算力业务，保障数据读写不会成为算力瓶颈。
4. 车载智能终端：满足车机大屏、自动驾驶感知模块的高速数据读写需求，拓宽车载存储国产化空间。

五、量产推进分步实施步骤

第一步：完成工程样片送测，配合手机芯片平台、平板 SoC 厂商完成软硬件联调，完成全平台兼容性认证，锁定首批定点客户。

第二步：在 Fab3 产线完成设备调试、工艺固化，开启小批量试产，持续优化良率，把芯片良率稳定到量产标准。

第三步：稳步提升晶圆产能，从每月数千片逐步爬坡到数万片规模，形成稳定供货，批量交付给国内消费电子终端厂商。

第四步：在 LPDDR5X 产品成熟之后，持续迭代研发更高速率版本，同时向 DDR5、HBM 等高阶 DRAM 产品延伸，持续完善国产 DRAM 全产品线布局。

六、产业价值总结

本次 9600MT/s LPDDR5X 量产筹备，标志着长江存储正式完成从单一 NAND 闪存厂商向闪存 + DRAM 双赛道存储 IDM 企业的转型，补齐国内高端移动 DRAM 供给短板。在全球存储芯片持续紧缺、海外高端内存供货周期拉长的市场环境下，这款国产 LPDDR5X 能够给国内手机、平板、AI 硬件厂商提供稳定的本土货源，进一步加速存储产业链自主可控进程，推动国产存储芯片在移动高端市场实现更大规模的市场份额突破。

【相关 FAQ】

问题 1：长江存储这款 9600MT/s LPDDR5X，采用了哪两项核心先进技术？

回答 1：长江存储 9600MT/s LPDDR5X 搭载两大核心技术，一是 4F² 先进存储单元架构，二是 VCT 垂直通道晶体管工艺，两项技术共同提升芯片密度与高频运行稳定性，保障 9600MT/s 高速传输稳定可靠。

问题 2：长江存储 9600MT/s LPDDR5X 会在哪一座工厂实现量产，前期试产产品布局在哪条产线？

回答 2：9600MT/s LPDDR5X 量产落地在武汉 Fab3 工厂；更早一代 7500MT/s 的 LPDDR5 产品，前期小批量试产安排在武汉 Fab2 厂区，月度晶圆产量约 5000 片。

问题 3：长江存储 9600MT/s LPDDR5X 主要面向哪些终端设备，能不能兼容前代内存平台？

回答 3：这款 LPDDR5X 主要用于旗舰手机、高端平板、轻薄本、便携 AI 终端；产品向下完整兼容 LPDDR5 硬件平台，终端厂商无需大幅修改硬件电路即可完成升级，大幅降低平台适配成本。

问题 4：长江存储研发 9600MT/s LPDDR5X，在国产 DRAM 产业里起到什么样的作用？

回答 4：长江存储量产 9600MT/s LPDDR5X，补齐国产高端移动低功耗 DRAM 的供给缺口，完成闪存大厂向 DRAM 赛道的跨界突破，配合长鑫存储形成国产存储双龙头布局，进一步缓解海外高端内存供货紧张的局面，加速存储产业链国产化进程。

问题 5：相比传统 6F² 架构，长江存储 LPDDR5X 使用的 4F² 单元架构具备哪些优势？

回答 5：4F² 架构可以大幅缩小单颗存储单元面积，同等晶圆面积下芯片产出数量更多，有效降低制造成本；同时减小晶体管漏电，提升高频工况下的运行稳定性，支撑 9600MT/s 超高数据速率长期稳定工作。

【参考资料】

[2026-10-23]（国产 DRAM 重大突破！长江存储准备量产 9600MT/s 的 LPDDR5X 内存）

[2026-10-23]（长江存储将量产 9600MT/s LPDDR5X）

[2026-10-23]（YMTC to start mass production of LPDDR5X with 9600 MT/s speed）AiKraft 行业资讯

[2026-10-23]（长江存储 DRAM LPDDR5X 最新产能与工艺消息）孤城 Hardware 微博

[2026-09-18]（长江存储扩建产线，新增 DRAM 产能布局）

免责声明

本文内容整理自主流科技媒体、供应链资讯与行业分析机构公开信息；长江存储 9600MT/s LPDDR5X 的量产时间、良率水平、产能规模会随工艺调试进度动态调整，最终量产计划以企业官方发布公告为准；产品实测带宽、功耗表现会受终端芯片平台、固件调校影响；文中仅为产业技术与产品进展分析，不构成行业投资与采购建议；所有芯片工艺参数、架构信息均来自公开报道，不涉及未公开内部技术资料。