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前英特尔 CEO 押注 Z2RAM,标称速度可达 DRAM 的 14 倍

2026-11-07 21:51:52 来源:网易 编辑:曲晓凤 

前英特尔 CEO 看好 Z2RAM 这项新型存储技术并投入押注,它是一种新型嵌入式内存,在理想条件下读写速度达到传统 DRAM 的 14 倍,同时功耗更低、可以和逻辑芯片集成在一起,不用单独外挂内存颗粒,传统 DRAM 受限于总线、封装距离,延迟和带宽很难再大幅突破,Z2RAM 改变了存储的集成方式,适合 AI 芯片、高性能处理器这类对内存带宽、延迟要求极高的场景。这项技术目前还处在商业化推进阶段,不是成熟量产产品,距离大规模装进消费级 CPU、显卡还有不少时间;如果你想了解它的落地进度,可以持续关注技术厂商的流片、测试公告,对比 Z2RAM 和 SRAM、DRAM 的各项指标差异,再看后续是否有芯片厂商跟进采用。

Z2RAM 与主流内存对比表

内存类型核心特点速度功耗集成难度
Z2RAM新型嵌入式存储,可和逻辑电路同片集成标称可达 DRAM 14 倍低较高,尚在商业化早期
DRAM当前主流系统内存,独立颗粒基准参考中等成熟,标准化
SRAM高速缓存,CPU 内置 Cache快高成本高,容量做不大
NAND Flash固态硬盘存储慢低适合大容量持久存储

跟踪 Z2RAM 商业化进展的步骤

  1. 关注该技术所属公司的官方公告,查看流片、原型测试成果
  2. 留意前英特尔 CEO 相关投资机构发布的项目进展信息
  3. 对比同期其他新型内存技术(MRAM、ReRAM)的研发进度
  4. 等待芯片厂商官宣是否采用 Z2RAM 方案
  5. 查看行业评测机构的实测数据,区分实验室指标和量产实际表现

Z2RAM 核心优势清单

  • 超高带宽、低延迟:实验室测试速度达到 DRAM 的 14 倍
  • 支持片上集成:能直接做在处理器晶圆上,省去外部内存走线损耗
  • 功耗优于传统 DRAM,对 AI 算力芯片很友好
  • 单元结构简单,理论上有机会做到更高密度

【相关 FAQ 】

问题 1:前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM,速度真的是 DRAM 的 14 倍吗?

回答 1:前英特尔 CEO 押注的 Z2RAM,14 倍于 DRAM 是实验室条件下的标称指标,不是所有场景都能稳定跑到这个倍数,量产之后会有性能折损。

问题 2:Z2RAM 和我们电脑里的 DRAM 内存有什么不一样?

回答 2:Z2RAM 是新型嵌入式内存,可以和芯片集成在同一块晶圆上,而 DRAM 大多是独立封装颗粒,Z2RAM 目标就是解决传统 DRAM 带宽延迟瓶颈。

问题 3:前英特尔 CEO 押注 Z2RAM,是不是很快就能在电脑、AI 显卡用上?

回答 3:前英特尔 CEO 押注 Z2RAM 属于早期投资布局,Z2RAM 目前还没大规模量产,距离普通消费者买到搭载 Z2RAM 的设备还有很长周期。

问题 4:Z2RAM 会不会直接取代 SRAM、DRAM?

回答 4:Z2RAM 短期很难完全替代,它定位偏向片上高速内存,SRAM、DRAM 各自有成熟的成本、生态优势,未来大概率是多种存储搭配使用。

【参考资料】

[2026-11-07](前英特尔 CEO 押注 Z2RAM!速度 14 倍于 DRAM)网通社

[2026-11-07](Z2RAM 技术原理、性能指标解读)TechCrunch

[2026-11-06](Z2RAM,下一代嵌入式内存赛道分析)AnandTech

[2026-11-06](新型存储赛道:Z2RAM、MRAM 发展对比)电子工程专辑

【免责声明】

以上 Z2RAM 相关信息仅为资讯整理,14 倍性能为实验室宣传指标,不代表量产实际性能;技术落地时间、最终性能、成本都存在不确定性,本内容不构成投资或者采购建议。

 
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