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国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底问世 2027 年后开启规模化供货

2026-10-30 10:21:40 来源:网易 编辑:温清叶 

国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底已经研发成功,这款产品将在 2027 年之后正式进入规模化供货阶段。之所以能够顺利完成这款大尺寸衬底的研发,核心原因是研发团队完成了两年多全流程自主技术攻关,顺利攻克了大尺寸材料致密化、高纯度制备、晶圆成型应力调控等多项技术难题,补齐了国内多晶碳化硅大尺寸基板的技术短板。研发过程中,团队自主优化气相沉积工艺,反复调试设备参数,解决了大尺寸晶圆容易开裂、纯度不达标的行业痛点,顺利做出直径 300 毫米的 12 英寸多晶碳化硅衬底。产品完成样品验证后,先进入小批量试产环节,同步对接海内外头部芯片企业完成认证测试,等到产线建设全部落地、客户认证全部完成,就会在 2027 年正式实现大批量稳定供货,助力国产半导体先进封装材料实现自主可控。

一、产品基础信息

  1. 产品规格:12 英寸,直径约 300 毫米,属于多晶碳化硅陶瓷基板,由大量微小碳化硅晶粒组成。
  2. 核心用途:主要用作 AI 芯片先进封装散热基底、半导体刻蚀设备核心零部件,解决高功率芯片的散热难题。
  3. 性能优势:导热能力是传统氮化铝、铜质散热方案的 2 至 3 倍,同时生产成本可以降低近 20%,还能把器件加工良率提升 60%。

二、研发实施步骤

  1. 技术攻坚阶段:历时两年多开展全流程原创研发,反复优化材料配方与气相沉积工艺,攻克大尺寸成型、致密化、应力控制三大技术瓶颈,完成样品试制。
  2. 客户认证阶段:将成品送样至海内外头部半导体企业,完成台积电等厂商的产品认证,同时向三星、英伟达等企业持续送样测试。
  3. 小批量试产阶段:搭建中试产线,稳定生产工艺,持续优化良率,完成从实验室样品到工业化小批量产出的过渡。
  4. 规模化投产阶段:新建产业化生产基地,完善产线配套设备,在 2027 年完成产能爬坡,正式开启规模化批量供货。

三、产能与产业布局

  1. 产能规划:新建高纯碳化硅产业基地,项目全面投产后,每年可以产出 20 万片高性能碳化硅衬底与配套部件。
  2. 产业布局:把长沙作为技术研发与样品孵化中心,同时在厦门、江苏金湖布局生产基地,形成研发 + 量产一体化布局,保障后续稳定供货。

四、当前商业化进度

目前产品正处在样品验证转向小批量试产的过渡期,各项客户认证稳步推进,产线建设按计划落地,整体进度符合既定时间表,能够保障 2027 年如期实现规模化供货。

【相关 FAQ】

问题 1:这款 12 英寸多晶碳化硅衬底什么时候能够规模化供货?

回答 1:这款国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底预计在 2027 年之后正式实现规模化供货,现阶段正处于样品验证与小批量试产阶段。

问题 2:12 英寸多晶碳化硅衬底主要应用在哪些产业场景?

回答 2:12 英寸多晶碳化硅衬底主要用于 AI 芯片先进封装散热基板,同时还可以用作半导体刻蚀设备核心零部件,解决高功率芯片散热问题。

问题 3:研发 12 英寸多晶碳化硅衬底主要攻克了哪些技术难点?

回答 3:研发团队重点攻克了大尺寸材料致密化、高纯度制备、大尺寸晶圆成型应力调控三大难题,同时优化气相沉积工艺,解决了大尺寸晶圆易开裂的问题。

【数据来源】

[2026-10-30] 国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底研制成功,直击 AI 芯片散热瓶颈 电子工程专辑

[2026-10-29] 给 AI 芯片 “退烧”: 国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世 新浪财经

[2026-10-29] 国内首款 12 英寸多晶碳化硅衬底在长沙问世 电子技术应用网

免责声明:本文仅为产业资讯信息,不构成任何投资建议;产品供货时间、产能规模均以企业官方发布信息为准,技术参数与市场应用会随着研发迭代持续优化。

 
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