在 Beligum 安特卫普的 ITF World 2023 上，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 概述了英特尔在几个关键领域的最新发展，其中最有趣的启示之一是英特尔未来将采用堆叠式 CFET 晶体管。这标志着英特尔首次在其演示中展示这种新型晶体管，但 Kelleher 没有提供生产日期或确定的时间表。

在这里我们可以看到放大版的幻灯片，在新型晶体管周围添加了一个环。幻灯片底部的前两种晶体管类型是较旧的变体，而“2024”条目代表我们过去广泛介绍过的英特尔新型 RibbonFET晶体管。英特尔第一代采用“英特尔 20A”工艺节点的设计具有四个堆叠的纳米片，每个纳米片都被一个门完全包围。Kelleher 说，这种设计有望在 2024 年首次亮相。RibbonFET 使用环栅 (GAA) 设计，它可以提高晶体管密度和性能，例如更快的晶体管开关，同时使用与多个鳍片相同的驱动电流，但在面积较小。

Kelleher 的幻灯片还展示了英特尔的下一代 GAA 设计——堆叠式 CFET。互补 FET (CFET) 晶体管设计已经出现在imec 的路线图上一段时间了，但我们还没有在英特尔幻灯片上看到它，也没有听说该公司表示计划采用这种设计。提醒一下，imec 研究所研究未来的技术，并与业界合作以实现它们。

自然地，英特尔的程式化渲染与我们在上面相册的第一张图片中包含的 imec CFET 渲染之间存在一些差异，但英特尔的图片很好地传达了这一点——这种设计允许公司堆叠八个纳米片，是四个与 RibbonFET 一起使用，从而增加了晶体管密度。我们在上面的相册中还有其他三种类型的英特尔晶体管的图像——平面 FET、FinFET 和带状 FET。