英特尔今天正式确认，将在本世纪下半叶使用玻璃基板进行先进封装。英特尔预计玻璃基板具有卓越的机械、物理和光学特性，使该公司能够构建更高性能的多芯片系统级封装 (SiP)，主要针对数据中心。特别是，英特尔预计玻璃基板能够实现容纳多片硅的超大型 24×24 cm SiP。

与传统有机基材相比，玻璃具有一系列优点。其突出特点是超低平坦度，可改善光刻焦深，以及互连的卓越尺寸稳定性。这对于下一代 SiP 来说非常重要，与当今的设备相比，它具有更多的小芯片，例如英特尔自己的 Ponte Vecchio。此类基板还提供卓越的热稳定性和机械稳定性，使其能够承受更高的温度，从而使其在数据中心应用中更具弹性。

此外，英特尔表示，玻璃基板可实现更高的互连密度(即更紧密的间距)，从而使互连密度增加十倍成为可能，这对于下一代SiP的电力传输和信号路由至关重要。特别是，英特尔正在谈论 <5/5um 线/间距和 <100um 玻璃通孔 (TGV) 间距，这使得基板上的芯片到芯片凸块间距 <36um，核心凸块间距 <80um。此外，玻璃基板可将图案畸变减少 50%，从而提高光刻的焦深并确保半导体制造更加精密和准确。

英特尔推出的玻璃基板与业界目前使用的有机基板相比是一个重大飞跃。全球最大的处理器供应商认为，有机基板将在未来几年达到其能力的极限，因为该公司将生产面向数据中心的 SiP，具有数十个瓦片，功耗可能高达数千瓦。此类 SiP 需要小芯片之间非常密集的互连，同时确保整个封装在生产过程中或使用过程中不会因热量而弯曲。