三星推出了全球首款基于 12 纳米工艺技术的 32 Gb DDR5 DRAM 解决方案，可支持高达 128 GB 的内存模块。

三星基于 12nm 工艺打造高达 128 GB DDR5 内存模块和 32 Gb DRAM

到目前为止，SK 海力士和美光等内存制造商提供高达 24 Gb DDR5 DRAM，可实现高达 96 GB 的内存解决方案，但三星凭借基于 12 纳米节点的密度提高 33.3% 的 32 Gb 解决方案更上一层楼。与此同时，美光也确认了 32 Gb DDR5 DRAM，但迄今为止仅通过其路线图宣布。

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新闻稿：先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，该公司采用 12 纳米 (nm) 级工艺技术开发出业界首款且容量最高的 32 Gb (Gb) DDR5 DRAM。这一成就是在三星于 2023 年 5 月开始量产其 12 纳米级 16Gb DDR5 DRAM 之后取得的。它巩固了三星在下一代 DRAM 技术方面的领导地位，并标志着大容量内存的新篇章。

“凭借我们的 12 纳米级 32Gb DRAM，我们获得了一种能够实现高达 1 太字节 (TB) 的 DRAM 模块的解决方案，使我们能够满足人工智能时代对大容量 DRAM 不断增长的需求。 (人工智能)和大数据，”三星电子 DRAM 产品与技术执行副总裁 SangJoon Hwang 说道。“我们将继续通过差异化的工艺和设计技术开发DRAM解决方案，打破内存技术的界限。”

自 1983 年以来 DRAM 容量增加了 50 万倍

三星于 1983 年开发出首款 kb (Kb) DRAM，在过去 40 年里已成功将其 DRAM 容量提高了 500,000 倍。