三星已开始量产其全新的 16 Gb DDR5 DRAM，该内存将采用12 纳米工艺节点。

得益于其 12 纳米工艺节点，三星即将推出的 DDR5 DRAM 将更加高效并提供更高的传输速率

新闻稿：先进内存技术的全球领导者三星电子今天宣布，其采用业界最先进的 12 纳米 (nm) 级工艺技术的 16 吉比特 (Gb) DDR5 DRAM 已开始量产。三星完成了最先进的制造工艺，再次证明了其在尖端 DRAM 技术方面的领导地位。

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与上一代产品相比，三星全新的 12 纳米级 DDR5 DRAM 可将功耗降低多达 23%，同时将晶圆产能提高多达 20%。其出色的能效使其成为希望降低其服务器和数据中心的能源消耗和碳足迹的全球 IT 公司的理想解决方案。

三星 Beings 12nm DDR5 16 Gb DRAM 量产：高达 7200 Mbps & 23% 效率 2

由于使用了有助于增加电池电容的新型高 κ 材料，三星得以开发 12 纳米级工艺技术。高电容导致数据信号中存在显着的电势差，这使得更容易准确地区分它们。该公司在降低工作电压和降低噪音方面所做的努力也有助于提供客户需要的最佳解决方案。

拥有每秒 7.2 吉比特 (Gbps) 的最高速度——转化为可以在大约一秒钟内处理两部 30GB 超高清电影的速度——三星的 12 纳米级 DDR5 DRAM 系列将支持越来越多的应用程序，包括数据中心、人工智能和下一代计算。