Samsung Foundry 计划在2023 年 VLSI 技术和电路研讨会上披露有关其即将推出的 SF4X 工艺技术的更多细节，该技术将针对高性能计算 (HPC) 应用程序，例如数据中心 CPU 和 GPU 。新的制造技术——以前称为 4HPC(4 纳米级高性能计算)不仅可以实现更高的时钟频率和效率，还可以为那些需要最高性能的人提供更高的电压。

三星新推出的 SF4X 承诺性能提升 10%，同时功耗降低 23%。尽管三星没有为这些比较提供具体参考点，但该芯片制造商很可能将 SF4X 与其标准 SF4 (4LPP) 进行比较。性能提升和功耗节省是在可能的高应力条件下对晶体管源极和漏极进行全面重新评估和重新设计、进一步的晶体管级设计技术协同优化以及中间线 (MOL) 重新设计的结果电路。

得益于这个新的 MOL，SF4X 拥有经过验证的 60mV CPU 最小电压 (Vmin)，断态电流变化减少 10%，保证在 1V 以上的高压 (Vdd) 操作而不会降低性能，以及增强的 SRAM 工艺利润。

SF4X 将与台积电的 N4P 和 N4X 节点竞争，后者分别定于 2024 年和 2025 年发布。目前，无法仅根据代工厂的声明来确定哪种技术将提供性能、功率、晶体管密度、效率和成本的最佳组合。