长江存储第四座工厂曝光，布局 300 + 层 NAND，国产设备占比 70%

长江存储第四座工厂相关信息已经曝光，这座新工厂将生产 300 层以上堆叠的 NAND 闪存，并且这条产线的国产设备占比可以达到 70%，是国内闪存芯片自主化推进的重要项目。更高堆叠层数的 NAND，可以在同样芯片面积下实现更大存储容量，降低单比特成本，同时拉高国产闪存的性能上限；而 70% 的国产设备占比，代表国内半导体设备厂商的产品已经大规模进入长江存储产线，减少对外依赖。这座新工厂落地之后，会扩充长江存储的 3D NAND 产能，加快 300 + 层 NAND 的量产节奏，后续还要经过设备进场、调试、试产、良率爬坡等阶段，良率稳定之后才会大规模供货，对国内存储产业链整体带动作用很强。

项目基础信息清单

• 主体：长江存储第四座工厂
• 核心产品：300 + 层 3D NAND 闪存
• 产线国产设备占比：70%
• 项目意义：扩充高端 NAND 产能、拉动国内半导体设备产业链
• 当前阶段：信息曝光，尚未正式量产

300 + 层 NAND 带来的产品变化

1. 单颗芯片容量更大，适合固态硬盘、手机存储、企业级存储
2. 同等容量下芯片面积更小，有利于控制成本
3. 堆叠工艺升级，对刻蚀、沉积等设备要求更高
4. 可以追赶海外大厂高端 NAND 堆叠技术水平

国产设备占比 70% 说明

工厂落地大致流程

1. 厂房建设完成，洁净间改造
2. 设备分批进场，国产设备、进口设备同步部署
3. 单台设备调试、联调，工艺流片验证
4. 小批量试产，持续优化良率
5. 产能爬坡，稳定对外供货

【相关 FAQ 】

问题 1：长江存储第四座工厂曝光，是不是主打 300 + 层 NAND，国产设备占比 70%？

回答 1：长江存储第四座工厂信息曝光，规划生产 300 + 层 NAND 闪存，这条产线国产设备占比达到 70%。

问题 2：长江存储第四座工厂 300 + 层 NAND，和现在在售的闪存有什么区别？

回答 2：长江存储第四座工厂的 300 + 层 NAND 堆叠层数更高，单芯片容量更大，成本更有优势，属于下一代高端闪存产品。

问题 3：长江存储第四座工厂国产设备占比 70%，是不是所有设备都已经国产化？

回答 3：不是，长江存储第四座工厂国产设备占比 70%，还有 30% 左右设备依旧采用海外设备，高端设备国产化还在持续推进。

问题 4：长江存储第四座工厂曝光之后，300 + 层 NAND 马上就能买到吗？

回答 4：长江存储第四座工厂刚曝光，还要经过设备调试、试产、良率爬坡，300 + 层 NAND 距离大规模上市还有一段时间。

【参考资料】

[2026-11-06]（300 + 层 NAND！长江存储第四座工厂曝光：国产设备占比达 70%）芯东西

[2026-11-06]（长江存储新工厂规划 300 + 层 NAND，国产设备占比提升至 70%）半导体行业观察

[2026-11-05]（长江存储第四工厂解读：高堆叠 NAND 与设备自主化）爱集微

【免责声明】

长江存储第四座工厂、300 + 层 NAND、国产设备 70% 占比为行业曝光信息，项目投产时间、良率、最终设备配比、量产时间表均以长江存储官方公告为准；本文仅为产业资讯整理，不构成存储芯片、半导体设备相关投资建议。