三星在2023 年内存技术日期间正式推出了其下一代内存技术，包括 HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2 等。

三星全力打造下一代内存技术，包括 HBM3E、GDDR7、LPDDR5x CAMM2 等

我们已经报道了代号为“Shine Bolt”的三星HBM3E 内存和用于下一代人工智能、游戏和数据中心应用的GDDR7的进展。这些可以被视为 2023 年内存技术日的两大亮点，但三星肯定还有更多的行动。

凭借三星在 2016 年将业界首款 HBM2 商业化并打开高性能计算 (HPC) HBM 市场的专业知识，该公司今天推出了名为 Shinebolt 的下一代 HBM3E DRAM。三星的 Shinebolt 将为下一代人工智能应用提供动力，提高总体拥有成本 (TCO)，并加快数据中心的人工智能模型训练和推理速度。

HBM3E 拥有令人印象深刻的每引脚速度 9.8 Gb/秒 (Gbps)，这意味着它可以实现超过 1.2 TB/秒 (TBps) 的传输速率。为了实现更高层堆叠并改善热特性，三星优化了其非导电薄膜(NCF)技术，以消除芯片层之间的间隙并最大限度地提高热导率。三星的 8H 和 12H HBM3 产品目前已进入量产阶段，Shinebolt 的样品也已发货给客户。

凭借其作为整体半导体解决方案提供商的实力，该公司还计划提供将下一代 HBM、先进封装技术和代工产品结合在一起的定制交钥匙服务。