三星的 Shinebolt和 Snowbolt 商标暗示了用于 HPC 的下一代 HBM DRAM

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导读 三星已经为一系列代号注册了商标,包括与下一代 HBM 产品相关的 Shinebolt、Flamebolt 和 Snowbolt。三星最近的商标揭示了用于下一代

三星已经为一系列代号注册了商标,包括与下一代 HBM 产品相关的 Shinebolt、Flamebolt 和 Snowbolt。

三星最近的商标揭示了用于下一代 HPC 和 AI 平台的新 DRAM 产品

本月早些时候,有报道称三星电子将开发代号为“Snowbolt”的新型 HBM3P 内存。这种最新的 HBM3P 内存将为每个堆栈提供 5 TB/s 的带宽速度。昨天,据报道,该公司又申请了两个 DRAM 内存商标,重点是面向大型计算机的人工智能。

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该商标申请为三星电子的命名结构增加了两个代号,将“Shinebolt”和“Flamebolt”添加到之前的绰号 Flarebolt、Aquabolt、Flashbolt 和 Icebolt。该申请已提交给韩国知识产权信息服务机构或 KIPRIS。

网站SamMobile提到这些商标与被认为是“用于高性能计算设备、人工智能和超级计算设备的高带宽 DRAM 模块以及用于图形卡的高带宽 DRAM”的产品有关。

三星 SDS 总裁 Kye Hyung Kyung 最近在 KAIST 发表讲话,他在会上讨论了公司如何预期未来的内存产品将更大规模地推动人工智能的发展,包括服务器的发展。

在上个月最近一次与投资者和媒体的电话会议上,三星电子的一位发言人被引述说,

我们已经向主要客户提供了 HBM2 和 HBM2E 产品,以便及时提供满足 AI 市场需求和技术趋势的最高性能和最高容量的产品,以及 HBM3(16 GB 和 12 GB)。不过,24GB的产品也在出样中,量产的准备工作已经完成。

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