英特尔很快将在“Intel 4”E-Core 芯片中展示其称为 PowerVia 的下一代背面供电技术。

英特尔 PowerVia 演示即将推出：利用芯片背面的 独立模块实现功率传输

VLSI已在推特上发布了英特尔 PowerVia 实施的第一眼，并将在 6 月开始的 2023 年 VLSI 研讨会期间进行演示。在推文中，VLSI 展示了英特尔在芯片背面实施 PowerVia 的情况，该芯片被提及使用“Intel 4”工艺节点并搭载全 E-Core 实施。

到 2024 年底，AMD 多样化的 EPYC CPU 产品组合将推动服务器市场份额接近 40%

Intel 4 芯片看起来像是基于旧的 LGA1151/LGA1200 设计，因为它的形状是方形的，并且在封装下方有一个辅助裸片。这是您通常会看到大量小型晶体管的区域，但其中大部分已被 PowerVia 技术取代。考虑到 E-Core 实施基于“Intel 4”，它很可能基于即将推出的为 Meteor Lake 的 E-Core 提供动力的 Crestmont 架构。

此外，电池利用率显示，在芯片内 2.9mm2 的面积内，Intel PowerVia 技术的利用率可高达 90%。此外，这不仅提高了利用率，而且还导致时钟速度略有提高，IR 压降减少，在同一芯片上实现了高 5% 的时钟。

更有趣的是，VLSI 表示这是一种高产设计，但至少要到 Arrow Lake 或 Lunar Lake 世代才会出现。原因是20A和18A工艺节点的消费级芯片将采用PowerVia和RibbonFET 。据说第一批 PowerVia 芯片将于 2024 年投入量产。